

發(fā)布時間:2022-09-22
在開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件,需要進行器件級的靜態(tài)參數(shù)測量,如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量,并不斷優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。就要使用到半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)2600-PCT。

半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)2600-PCT方案優(yōu)勢:
完整的解決方案,超高性價比
? 可現(xiàn)場升級和重新配置,將PCT轉(zhuǎn)換成可靠性或晶片分類測試儀
? 可配置功率電平:200V至3kV、1A至100A
? 寬動態(tài)范圍:μV至3kV、fA至100A
? 全量程容-電壓 (C-V) 能力:fF至μF
? 支持 2、3和4端器件、高達3kV DC偏移
? 高性能測試夾具支持一系列軟件包類型
? 探頭測試臺接口支持多種常見的探頭類型
半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)2600-PCT特點: