典型應用場景
集成電路等器件本身由于接觸分離或者摩擦帶電，在接觸或者處理器件時會發生放電，研究表明，帶電器件模型（CDM）對器件造成的損壞遠遠多于 HBM 和 MM，F-CDM_3kV靜電放電測試平臺適用于半導體器件、微電子器件、厚膜器件和電阻器基片、壓電晶體的靜電放電試驗。符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018、AEC_Q100-011、AEC_Q101-005標準要求。
主要特點
1.試驗電壓可達3kV、精度高、分辨率高、穩定性好
2.內置標準等級，方便型式試驗的測試
3.全智能程控式設計，液晶顯示、操作方便
4.采用半導體電子開關，壽命長，性能穩定
5.集成了高倍顯微鏡、自動電機、CDM模塊于一體的模擬器
